BSC320N20NS3G Todos los transistores

 

BSC320N20NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC320N20NS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TDSON8

 Búsqueda de reemplazo de BSC320N20NS3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSC320N20NS3G datasheet

 ..1. Size:312K  infineon
 bsc320n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC320N20NS3G

BSC320N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 200 V DS N-channel, normal level R 32 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 36 A D Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal fo

Otros transistores... BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , K3569 , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P .

History: GTT8205S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.