BSC320N20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC320N20NS3G
   Código: 320N20NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC320N20NS3G

BSC320N20NS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:312K infineon
bsc320n20ns3g.pdf

BSC320N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS N-channel, normal levelR 32mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 36 AD Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal fo

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: