BSC320N20NS3G Todos los transistores

 

BSC320N20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC320N20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC320N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  infineon
 bsc320n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC320N20NS3G

BSC320N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS N-channel, normal levelR 32mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 36 AD Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal fo

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History: IPAN80R450P7 | DAMH160N200 | MSK7804 | CS4N65A3HD | HY150N075T | IXFH18N60P | NVD3055-150

 

 
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