Справочник MOSFET. BSC320N20NS3G

 

BSC320N20NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC320N20NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC320N20NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC320N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  infineon
 bsc320n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC320N20NS3G

BSC320N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS N-channel, normal levelR 32mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 36 AD Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal fo

Другие MOSFET... BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , SPP20N60C3 , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P .

 

 
Back to Top

 


 
.