BSC320N20NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSC320N20NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC320N20NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC320N20NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC320N20NS3G даташит

 ..1. Size:312K  infineon
 bsc320n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC320N20NS3G

BSC320N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 200 V DS N-channel, normal level R 32 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 36 A D Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal fo

Другие MOSFET... BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , K3569 , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.