BSC900N20NS3G Todos los transistores

 

BSC900N20NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC900N20NS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC900N20NS3G datasheet

 ..1. Size:309K  infineon
 bsc900n20ns3 bsc900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC900N20NS3G

Type BSC900N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 200 V DS Optimized for dc-dc conversion R 90 m DS(on),max N-channel, normal level I 15.2 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

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History: JMTQ35N06A | STF12N65M5

 

 

 

 

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