BSC900N20NS3G Todos los transistores

 

BSC900N20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC900N20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSC900N20NS3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSC900N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  infineon
 bsc900n20ns3 bsc900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC900N20NS3G

TypeBSC900N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS Optimized for dc-dc conversionR 90mDS(on),max N-channel, normal levelI 15.2 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

Otros transistores... BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , RFP50N06 , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP .

History: UTT25P10L-TA3-T | AONL32328 | AFP3485 | VBZA7470 | BSC034N06NS | AM2300N | 2N3370

 

 
Back to Top

 


 
.