Справочник MOSFET. BSC900N20NS3G

 

BSC900N20NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC900N20NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC900N20NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC900N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  infineon
 bsc900n20ns3 bsc900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSC900N20NS3G

TypeBSC900N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS Optimized for dc-dc conversionR 90mDS(on),max N-channel, normal levelI 15.2 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JED

Другие MOSFET... BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , RFP50N06 , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP .

 

 
Back to Top

 


 
.