BSD223P Todos los transistores

 

BSD223P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSD223P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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BSD223P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  infineon
 bsd223p.pdf pdf_icon

BSD223P

BSD 223POptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V Dual P-ChannelRDS(on) 1.2 Enhancement modeID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101MOSFET1: 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
 bsd22 cnv 2.pdf pdf_icon

BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSD22MOSFET N-channel depletionswitching transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationMOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22DESCRIPTION Marking code: M32Symmetrical insulated-gate siliconMOS field-effect transistor of then-channel depletio

Otros transistores... BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , IRF1010E , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P .

History: WMQ80N03T1 | 4N60L-TND-R | WMK80R480S | NVS4001N | HIRF630 | SE630K | SWD19N10

 

 
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