BSD223P Todos los transistores

 

BSD223P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD223P

Código: X1s

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.35 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT363

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BSD223P Datasheet (PDF)

1.1. bsd223p rev1.4.pdf Size:99K _infineon

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BSD 223P ? ? ? OptiMOS?-P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V Dual P-Channel RDS(on) 1.2 ? Enhancement mode ID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-363 150C operating temperature 4 Avalanche rated 5 6 dv/dt rated 3 2 1 VPS05604 Qualified according to AEC Q101 MOSFET1: 1,2,6 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain MOS

5.1. bsd22 cnv 2.pdf Size:34K _philips

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSD22 MOSFET N-channel depletion switching transistor December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification MOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22 DESCRIPTION Marking code: M32 Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletion m

Otros transistores... BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , IRF1405 , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P .

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