BSD223P Todos los transistores

 

BSD223P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSD223P
   Código: X1s
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSD223P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  infineon
 bsd223p.pdf pdf_icon

BSD223P

BSD 223POptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V Dual P-ChannelRDS(on) 1.2 Enhancement modeID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101MOSFET1: 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
 bsd22 cnv 2.pdf pdf_icon

BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSD22MOSFET N-channel depletionswitching transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationMOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22DESCRIPTION Marking code: M32Symmetrical insulated-gate siliconMOS field-effect transistor of then-channel depletio

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: JCS70N30ABC

 

 
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