BSD223P Todos los transistores

 

BSD223P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD223P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.39 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT363

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BSD223P datasheet

 ..1. Size:99K  infineon
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BSD223P

BSD 223P OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V Dual P-Channel RDS(on) 1.2 Enhancement mode ID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-363 150 C operating temperature 4 Avalanche rated 5 6 dv/dt rated 3 2 1 VPS05604 Qualified according to AEC Q101 MOSFET1 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
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BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSD22 MOSFET N-channel depletion switching transistor December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification MOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22 DESCRIPTION Marking code M32 Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletio

Otros transistores... BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , 12N60 , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P .

History: PSMN6R3-120PS | HM18N50A | LSH60R280HT | KF5N60FZ

 

 

 

 

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