Справочник MOSFET. BSD223P

 

BSD223P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSD223P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для BSD223P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD223P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  infineon
 bsd223p.pdf pdf_icon

BSD223P

BSD 223POptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V Dual P-ChannelRDS(on) 1.2 Enhancement modeID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101MOSFET1: 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
 bsd22 cnv 2.pdf pdf_icon

BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSD22MOSFET N-channel depletionswitching transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationMOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22DESCRIPTION Marking code: M32Symmetrical insulated-gate siliconMOS field-effect transistor of then-channel depletio

Другие MOSFET... BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , 4N60 , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.