Справочник MOSFET. BSD223P

 

BSD223P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSD223P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для BSD223P

 

 

BSD223P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  infineon
 bsd223p.pdf

BSD223P BSD223P

BSD 223POptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V Dual P-ChannelRDS(on) 1.2 Enhancement modeID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101MOSFET1: 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
 bsd22 cnv 2.pdf

BSD223P BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSD22MOSFET N-channel depletionswitching transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationMOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22DESCRIPTION Marking code: M32Symmetrical insulated-gate siliconMOS field-effect transistor of then-channel depletio

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top