BSD223P - описание и поиск аналогов

 

BSD223P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSD223P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для BSD223P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSD223P даташит

 ..1. Size:99K  infineon
 bsd223p.pdf pdf_icon

BSD223P

BSD 223P OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V Dual P-Channel RDS(on) 1.2 Enhancement mode ID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-363 150 C operating temperature 4 Avalanche rated 5 6 dv/dt rated 3 2 1 VPS05604 Qualified according to AEC Q101 MOSFET1 1,2,6 Halogen-free accordin

 9.1. Size:34K  philips
 bsd22 cnv 2.pdf pdf_icon

BSD223P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSD22 MOSFET N-channel depletion switching transistor December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification MOSFET N-channel depletion switching transistor BSD22 DESCRIPTION Marking code M32 Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletio

Другие MOSFET... BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , 12N60 , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.