BSF024N03LT3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSF024N03LT3G
Código: 0703'
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1730 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: WDSON2
BSF024N03LT3G Datasheet (PDF)
bsf024n03lt3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF024N03LT3 G Data Sheet2.1, 2009-06-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF024N03LT3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make O
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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