BSF024N03LT3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSF024N03LT3G
Маркировка: 0703'
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1730 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: WDSON2
BSF024N03LT3G Datasheet (PDF)
bsf024n03lt3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF024N03LT3 G Data Sheet2.1, 2009-06-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF024N03LT3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make O
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RU30105L | MTP3055VL | SVD2N60M | JFAM20N60C | 2SK3697-01 | SIA810DJ | IPB65R190C6
History: RU30105L | MTP3055VL | SVD2N60M | JFAM20N60C | 2SK3697-01 | SIA810DJ | IPB65R190C6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet