Справочник MOSFET. BSF024N03LT3G

 

BSF024N03LT3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF024N03LT3G
   Маркировка: 0703'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF024N03LT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1522K  infineon
bsf024n03lt3g.pdfpdf_icon

BSF024N03LT3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF024N03LT3 G Data Sheet2.1, 2009-06-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF024N03LT3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make O

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU30105L | MTP3055VL | SVD2N60M | JFAM20N60C | 2SK3697-01 | SIA810DJ | IPB65R190C6

 

 
Back to Top

 


 
.