BSF050N03LQ3G Todos los transistores

 

BSF050N03LQ3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSF050N03LQ3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: WDSON2

 Búsqueda de reemplazo de BSF050N03LQ3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSF050N03LQ3G datasheet

 ..1. Size:1520K  infineon
 bsf050n03lq3g.pdf pdf_icon

BSF050N03LQ3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSF050N03LQ3 G Data Sheet 2.2, 2009-05-11 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSF050N03LQ3 G 1 Description OptiMOS 30V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:563K  infineon
 bsf053n03lt g.pdf pdf_icon

BSF050N03LQ3G

& " ' $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m x S G3> E;676 5AA>;@9 71 D S 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5 7 F7EF76 S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ MG D ON S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S * BF;?;L76 8AD ;9 EI;F5 ;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7D S 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57 S A

Otros transistores... BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , IRFB3607 , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.