BSF050N03LQ3G Todos los transistores

 

BSF050N03LQ3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSF050N03LQ3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDSON2
 

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BSF050N03LQ3G Datasheet (PDF)

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BSF050N03LQ3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF050N03LQ3 G Data Sheet2.2, 2009-05-11Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF050N03LQ3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:563K  infineon
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BSF050N03LQ3G

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Otros transistores... BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , AON7506 , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE .

History: SIE726DF | SLU5N65S

 

 
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