Справочник MOSFET. BSF050N03LQ3G

 

BSF050N03LQ3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSF050N03LQ3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
 

 Аналог (замена) для BSF050N03LQ3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSF050N03LQ3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1520K  infineon
 bsf050n03lq3g.pdf pdf_icon

BSF050N03LQ3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSF050N03LQ3 G Data Sheet2.2, 2009-05-11Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSF050N03LQ3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.1. Size:563K  infineon
 bsf053n03lt g.pdf pdf_icon

BSF050N03LQ3G

& " ' $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F m D n) m xS G3> E;676 5AA>;@9 71 DS 'AI BDA8;>7 ?? S 3H3>3@5:7 F7EF76S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@MG D ON S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S * BF;?;L76 8AD :;9: EI;F5:;@9 8D7CG7@5K 5A@H7DF7DS 'AI B3D3E;F;5 ;@6G5F3@57S A

Другие MOSFET... BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , AON7506 , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE .

History: MSF4N65 | CSD83325L | SI2308 | WM03DH34M3 | AP4230GM-HF | BSC200P03LSG | MTP4N10

 

 
Back to Top

 


 
.