BSL211SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL211SP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 241 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de BSL211SP MOSFET
BSL211SP Datasheet (PDF)
bsl211sp.pdf

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl211dv.pdf

SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel Enhancement Mode MOSFETBSL211DV(KSL211DV) Features( )SOT-23-6 Unit: mm+0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150C operating temperature6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 31+0.02DD 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1GGSS1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u
Otros transistores... BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , IRFP450 , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG .
History: AFN4946W | NCE65N760F
History: AFN4946W | NCE65N760F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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