Справочник MOSFET. BSL211SP

 

BSL211SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSL211SP
   Маркировка: sPB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL211SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  infineon
 bsl211sp.pdf pdf_icon

BSL211SP

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101

 8.1. Size:141K  kexin
 bsl211dv.pdf pdf_icon

BSL211SP

SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel Enhancement Mode MOSFETBSL211DV(KSL211DV) Features( )SOT-23-6 Unit: mm+0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150C operating temperature6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 31+0.02DD 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1GGSS1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u

 9.1. Size:413K  infineon
 bsl214n.pdf pdf_icon

BSL211SP

BSL214NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.2. Size:419K  infineon
 bsl215p.pdf pdf_icon

BSL211SP

BSL215P#

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , IRFP450 , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG .

 

 
Back to Top

 


 
.