BSL211SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSL211SP
Маркировка: sPB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 13.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
BSL211SP Datasheet (PDF)
bsl211sp.pdf

Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl211dv.pdf

SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel Enhancement Mode MOSFETBSL211DV(KSL211DV) Features( )SOT-23-6 Unit: mm+0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150C operating temperature6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 31+0.02DD 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1GGSS1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1001PTL | JMSH1001NTLQ | JMSH1001NTL | JMSH1001NS | JMSH1001NE7 | JMSH1001NE | JMSH1001NC | JMSH1001MTL | JMSH1001BTL | JMSH1001ATLQ | JMSH1001ATL | JMSH1001AE7Q | JMSH1001AE7 | JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ
Popular searches
c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749