BSL211SP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSL211SP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 241 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для BSL211SP
BSL211SP Datasheet (PDF)
bsl211sp.pdf
Rev 2.0BSL211SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 67 m Enhancement modeID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated4352 Pb-free lead plating; RoHS compliant61QualifiedaccordingtoAECQ101
bsl211dv.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsP-Channel Enhancement Mode MOSFETBSL211DV(KSL211DV) Features( )SOT-23-6 Unit: mm+0.1 Super Logic Level (2.5 V rated) 0.4-0.1 150C operating temperature6 5 4 Avalanche rated dv/dt rated 2 31+0.02DD 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1GGSS1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ,u
Другие MOSFET... BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , NCEP15T14 , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749






