BSO080P03SH Todos los transistores

 

BSO080P03SH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO080P03SH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSO080P03SH Datasheet (PDF)

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BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8m DS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Haloge

 4.1. Size:323K  infineon
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BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8mDS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Halo

 5.1. Size:673K  infineon
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BSO080P03SH

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BSO080P03SH

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History: HIRF740 | SIHF9540S | HITJ0203MP | SPP80P06PH | NTMFS5C670NL | IRFPC42R | 2SJ272

 

 
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