BSO080P03SH - описание и поиск аналогов

 

BSO080P03SH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSO080P03SH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для BSO080P03SH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO080P03SH даташит

 ..1. Size:308K  infineon
bso080p03sh.pdfpdf_icon

BSO080P03SH

BSO080P03S H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features V -30 V DS P-Channel R 8 m DS(on),max Enhancement mode I -14.9 A D Logic level 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type Package Marking lead free Haloge

 4.1. Size:323K  infineon
bso080p03s1.pdfpdf_icon

BSO080P03SH

BSO080P03S H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features V -30 V DS P-Channel R 8 m DS(on),max Enhancement mode I -14.9 A D Logic level 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type Package Marking lead free Halo

 5.1. Size:673K  infineon
bso080p03ns3e g.pdfpdf_icon

BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@ %>E Features 0 V DS Q C ?8=6 ) 92??6= ? ,( . 8.0 mW DS(on) max GS 1) Q * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C . 11.4 GS Q T @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 14.8 A D Q . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D Q 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8

 5.2. Size:652K  infineon
bso080p03ns3 g 2.2.pdfpdf_icon

BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@ %>E Features 0 V DS Q C ?8=6 ) 92??6= ? ,( . 8.0 m DS(on) max GS 1) Q * E2= 7 65 244@B5 ?8 $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C . 11.4 GS Q T @A6B2D ?8 D6>A6B2DEB6 14.8 A D Q . CA64 2==I CE D65 7@B ?@D63@@A= 2?D Q 2AA= 42D @?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG D49 ?8 Q "2=@86? 7B66

Другие MOSFET... BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , 18N50 , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.