Справочник MOSFET. BSO080P03SH

 

BSO080P03SH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSO080P03SH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для BSO080P03SH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO080P03SH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  infineon
 bso080p03sh.pdf pdf_icon

BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8m DS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Haloge

 4.1. Size:323K  infineon
 bso080p03s1.pdf pdf_icon

BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8mDS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Halo

 5.1. Size:673K  infineon
 bso080p03ns3e g.pdf pdf_icon

BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@%>EFeatures 0 VDSQ C:?8=6 ) 92??6= :? ,( . 8.0 mWDS(on) max GS1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C . 11.4GSQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6 14.8 ADQ . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8

 5.2. Size:652K  infineon
 bso080p03ns3 g 2.2.pdf pdf_icon

BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@%>EFeatures 0 VDSQ C:?8=6 ) 92??6= :? ,( . 8.0 m DS(on) max GS1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C . 11.4GSQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6 14.8 ADQ . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=@86? 7B66

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , 75N75 , BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 .

History: CSD87501L | CSD83325L | FQB9N08TM | BLP065N10GL-D | OSG70R290DF | SI2308

 

 
Back to Top

 


 
.