Справочник MOSFET. BSO080P03SH

 

BSO080P03SH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSO080P03SH
   Маркировка: 080P3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 102 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для BSO080P03SH

 

 

BSO080P03SH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  infineon
 bso080p03sh.pdf

BSO080P03SH BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8m DS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Haloge

 4.1. Size:323K  infineon
 bso080p03s1.pdf

BSO080P03SH BSO080P03SH

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8mDS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Halo

 5.1. Size:673K  infineon
 bso080p03ns3e g.pdf

BSO080P03SH BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@%>EFeatures 0 VDSQ C:?8=6 ) 92??6= :? ,( . 8.0 mWDS(on) max GS1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C . 11.4GSQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6 14.8 ADQ . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8

 5.2. Size:652K  infineon
 bso080p03ns3 g 2.2.pdf

BSO080P03SH BSO080P03SH

'$ % #' % % (>.;?6?@%>EFeatures 0 VDSQ C:?8=6 ) 92??6= :? ,( . 8.0 m DS(on) max GS1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C . 11.4GSQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6 14.8 ADQ . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=@86? 7B66

 5.3. Size:533K  infineon
 bso080p03ns3g.pdf

BSO080P03SH BSO080P03SH

BSO080P03NS3 GOptiMOS3 P3-Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V single P-Channel in SO8RDS(on),max VGS=-10 V 8.0mW Qualified according JEDEC1) for target applicationsVGS=-6 V 11.4 150C operating temperatureID -14.8 A V =25 V, specially suited for notebook applicationsGS Pb-free plating; RoHS compliantPG-DSO-8 applications: batter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top