BSV236SP Todos los transistores

 

BSV236SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSV236SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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BSV236SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  infineon
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BSV236SP

BSV 236SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 175 m Enhancement modeID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21

 ..2. Size:151K  infineon
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BSV236SP

BSV 236SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 175 m Enhancement modeID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21

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History: 4N60B | 8810B | 2SK4067I | PJE138K | SSG4502CE | 2SK4066B | TN2106K1-G

 

 
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