BSV236SP Todos los transistores

 

BSV236SP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSV236SP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: SOT363

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BSV236SP datasheet

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BSV236SP

BSV 236SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 175 m Enhancement mode ID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-363 150 C operating temperature 4 Avalanche rated 5 6 dv/dt rated 3 2 1 VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21

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BSV236SP

BSV 236SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 175 m Enhancement mode ID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-363 150 C operating temperature 4 Avalanche rated 5 6 dv/dt rated 3 2 1 VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21

Otros transistores... BSS215P , BSS223PW , BSS308PE , BSS314PE , BSS315P , BSS83P , BSS84P , BSS84PW , AON6414A , BSZ019N03LS , BSZ035N03LSG , BSZ035N03MSG , BSZ040N04LSG , BSZ042N04NSG , BSZ050N03LSG , BSZ050N03MSG , BSZ058N03LSG .

 

 

 

 

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