BSV236SP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSV236SP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для BSV236SP
BSV236SP Datasheet (PDF)
bsv236sp .pdf

BSV 236SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 175 m Enhancement modeID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21
bsv236sp.pdf

BSV 236SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 175 m Enhancement modeID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21
Другие MOSFET... BSS215P , BSS223PW , BSS308PE , BSS314PE , BSS315P , BSS83P , BSS84P , BSS84PW , P55NF06 , BSZ019N03LS , BSZ035N03LSG , BSZ035N03MSG , BSZ040N04LSG , BSZ042N04NSG , BSZ050N03LSG , BSZ050N03MSG , BSZ058N03LSG .
History: IRFM260 | F11F60CPM | RFL1N18 | WML12N100C2 | 3SK141 | WMQ023N03LG2 | BSZ088N03LSG
History: IRFM260 | F11F60CPM | RFL1N18 | WML12N100C2 | 3SK141 | WMQ023N03LG2 | BSZ088N03LSG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet