BSZ42DN25NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ42DN25NS3G
   Código: 42DN20N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.425 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ42DN25NS3G

BSZ42DN25NS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:627K infineon
bsz42dn25ns3g.pdf

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425 mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

2.1. Size:571K infineon
bsz42dn25ns3.pdf

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

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Liste

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