BSZ42DN25NS3G Todos los transistores

 

BSZ42DN25NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ42DN25NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.425 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
 

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BSZ42DN25NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  infineon
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BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425 mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 2.1. Size:571K  infineon
 bsz42dn25ns3.pdf pdf_icon

BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

Otros transistores... BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , P60NF06 , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A .

 

 
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