BSZ42DN25NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSZ42DN25NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ42DN25NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.425 Ohm

Тип корпуса: TSDSON8

Аналог (замена) для BSZ42DN25NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ42DN25NS3G даташит

 ..1. Size:627K  infineon
 bsz42dn25ns3g.pdf pdf_icon

BSZ42DN25NS3G

Type BSZ42DN25NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 425 mW N-channel, normal level ID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 2.1. Size:571K  infineon
 bsz42dn25ns3.pdf pdf_icon

BSZ42DN25NS3G

Type BSZ42DN25NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 425 mW N-channel, normal level ID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

Другие MOSFET... BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , AO4407 , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A .

History: ME50P06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.