BSZ42DN25NS3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSZ42DN25NS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSZ42DN25NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.425 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
 

 Аналог (замена) для BSZ42DN25NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ42DN25NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  infineon
 bsz42dn25ns3g.pdf pdf_icon

BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425 mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 2.1. Size:571K  infineon
 bsz42dn25ns3.pdf pdf_icon

BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

Другие MOSFET... BSZ160N10NS3G , BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , P60NF06 , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A .

History: BL4N80-A | 2SK3364 | MTW33N10E | NCE0260P | AON6444 | APT8018L2VFRG | INK0210AC1

 

 
Back to Top

 


 
.