Справочник MOSFET. BSZ42DN25NS3G

 

BSZ42DN25NS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ42DN25NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.425 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ42DN25NS3G

 

 

BSZ42DN25NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  infineon
 bsz42dn25ns3g.pdf

BSZ42DN25NS3G BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425 mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 2.1. Size:571K  infineon
 bsz42dn25ns3.pdf

BSZ42DN25NS3G BSZ42DN25NS3G

TypeBSZ42DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 425mW N-channel, normal levelID 5 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top