BSZ440N10NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ440N10NS3G
Código: 440N10N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G Datasheet (PDF)
bsz440n10ns3g.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GS3O81 Description876Features5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l
bsz440n10ns3.pdf
BSZ440N10NS3 GProduct Summary 3 Power-TransistorV 1 D FeaturesR 44m D n) m xQ .5BI CI 1 DQ ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?>Q ' 381>>5?B=1
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918