BSZ440N10NS3G Todos los transistores

 

BSZ440N10NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ440N10NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
 

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BSZ440N10NS3G Datasheet (PDF)

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BSZ440N10NS3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GS3O81 Description876Features5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l

 2.1. Size:478K  infineon
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BSZ440N10NS3G

BSZ440N10NS3 GProduct Summary 3 Power-TransistorV 1 D FeaturesR 44m D n) m xQ .5BI CI 1 DQ ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?>Q ' 381>>5?B=1

Otros transistores... BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BS170 , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH .

History: H2N7000 | 2SK3618 | CS10N80P

 

 
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