BSZ440N10NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ440N10NS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON8
- Selección de transistores por parámetros
BSZ440N10NS3G Datasheet (PDF)
bsz440n10ns3g.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GS3O81 Description876Features5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l
bsz440n10ns3.pdf
BSZ440N10NS3 GProduct Summary 3 Power-TransistorV 1 D FeaturesR 44m D n) m xQ .5BI CI 1 DQ ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?>Q ' 381>>5?B=1
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK2931 | FQPF13N50C
History: 2SK2931 | FQPF13N50C
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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