BSZ440N10NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ440N10NS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Encapsulados: TSDSON8
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BSZ440N10NS3G datasheet
bsz440n10ns3g.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V BSZ440N10NS3 G Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V BSZ440N10NS3 G S3O8 1 Description 8 7 6 Features 5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l
bsz440n10ns3.pdf
BSZ440N10NS3 G Product Summary 3 Power-Transistor V 1 D Features R 44 m D n) m x Q .5BI C I 1 D Q ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?> Q ' 381>>5?B=1
Otros transistores... BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BS170 , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH .
History: CS10N80P | AP70SL1K4BJB
History: CS10N80P | AP70SL1K4BJB
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