BSZ440N10NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSZ440N10NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ440N10NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TSDSON8

Аналог (замена) для BSZ440N10NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ440N10NS3G даташит

 ..1. Size:1996K  infineon
 bsz440n10ns3g.pdf pdf_icon

BSZ440N10NS3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V BSZ440N10NS3 G Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V BSZ440N10NS3 G S3O8 1 Description 8 7 6 Features 5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l

 2.1. Size:478K  infineon
 bsz440n10ns3.pdf pdf_icon

BSZ440N10NS3G

BSZ440N10NS3 G Product Summary 3 Power-Transistor V 1 D Features R 44 m D n) m x Q .5BI C I 1 D Q ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?> Q ' 381>>5?B=1

Другие MOSFET... BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BS170 , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH .

History: AON6908 | MTP7N60 | BSZ018NE2LS | BUK129-50DL | LSH65R290HF | BSZ110N06NS3G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.