BSZ440N10NS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSZ440N10NS3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TSDSON8
Аналог (замена) для BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G Datasheet (PDF)
bsz440n10ns3g.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GS3O81 Description876Features5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l
bsz440n10ns3.pdf
BSZ440N10NS3 GProduct Summary 3 Power-TransistorV 1 D FeaturesR 44m D n) m xQ .5BI CI 1 DQ ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?>Q ' 381>>5?B=1
Другие MOSFET... BSZ165N04NSG , BSZ16DN25NS3G , BSZ180P03NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , 18N50 , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH .
History: TPCA8003-H | VBE165R07 | 2SK3582CT | FHF5N65C | CEU01N65A | PFF13N60 | IRF1404PBF
History: TPCA8003-H | VBE165R07 | 2SK3582CT | FHF5N65C | CEU01N65A | PFF13N60 | IRF1404PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945