BSZ440N10NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSZ440N10NS3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TSDSON8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BSZ440N10NS3G Datasheet (PDF)
bsz440n10ns3g.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VBSZ440N10NS3 GS3O81 Description876Features5 Very low gate charge for high frequency applications Optimized for dc-dc conversion N-channel, normal l
bsz440n10ns3.pdf
BSZ440N10NS3 GProduct Summary 3 Power-TransistorV 1 D FeaturesR 44m D n) m xQ .5BI CI 1 DQ ( @D9=9J54 6?B 43 43 3?>F5BC9?>Q ' 381>>5?B=1
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945