BSZ900N15NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ900N15NS3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: TSDSON8
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BSZ900N15NS3G datasheet
bsz900n15ns3g bsz900n15ns3 .pdf
s BSZ900N15NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Package V 150 V DS Marking R 90 m DS(on),max N-channel, normal level I 13 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application
bsz900n20ns3 bsz900n20ns3g.pdf
Type BSZ900N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 90 mW N-channel, normal level ID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f
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