Справочник MOSFET. BSZ900N15NS3G

 

BSZ900N15NS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ900N15NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ900N15NS3G

 

 

BSZ900N15NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  infineon
 bsz900n15ns3g bsz900n15ns3 .pdf

BSZ900N15NS3G BSZ900N15NS3G

sBSZ900N15NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryPackageV 150 VDSMarkingR 90mDS(on),max N-channel, normal levelI 13 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application

 7.1. Size:568K  infineon
 bsz900n20ns3 bsz900n20ns3g.pdf

BSZ900N15NS3G BSZ900N15NS3G

TypeBSZ900N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 90mW N-channel, normal levelID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top