BSZ900N20NS3G Todos los transistores

 

BSZ900N20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ900N20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSZ900N20NS3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSZ900N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  infineon
 bsz900n20ns3 bsz900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

TypeBSZ900N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 90mW N-channel, normal levelID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 7.1. Size:322K  infineon
 bsz900n15ns3g bsz900n15ns3 .pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

sBSZ900N15NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryPackageV 150 VDSMarkingR 90mDS(on),max N-channel, normal levelI 13 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application

Otros transistores... BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , P0903BDG , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H .

 

 
Back to Top

 


 
.