BSZ900N20NS3G Todos los transistores

 

BSZ900N20NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ900N20NS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TSDSON8

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BSZ900N20NS3G datasheet

 ..1. Size:568K  infineon
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BSZ900N20NS3G

Type BSZ900N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 90 mW N-channel, normal level ID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 7.1. Size:322K  infineon
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BSZ900N20NS3G

s BSZ900N15NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Package V 150 V DS Marking R 90 m DS(on),max N-channel, normal level I 13 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application

Otros transistores... BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , IRF1407 , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H .

History: TT8U1TR | LSH65R1K5HT | MTP7N20

 

 

 

 

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