BSZ900N20NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSZ900N20NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ900N20NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TSDSON8

Аналог (замена) для BSZ900N20NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ900N20NS3G даташит

 ..1. Size:568K  infineon
 bsz900n20ns3 bsz900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

Type BSZ900N20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 90 mW N-channel, normal level ID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 7.1. Size:322K  infineon
 bsz900n15ns3g bsz900n15ns3 .pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

s BSZ900N15NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Package V 150 V DS Marking R 90 m DS(on),max N-channel, normal level I 13 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application

Другие MOSFET... BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , IRF1407 , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H .

History: TT8M2 | LSH60R650HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.