BSZ900N20NS3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSZ900N20NS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSZ900N20NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
 

 Аналог (замена) для BSZ900N20NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ900N20NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  infineon
 bsz900n20ns3 bsz900n20ns3g.pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

TypeBSZ900N20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 90mW N-channel, normal levelID 15.2 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 7.1. Size:322K  infineon
 bsz900n15ns3g bsz900n15ns3 .pdf pdf_icon

BSZ900N20NS3G

sBSZ900N15NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryPackageV 150 VDSMarkingR 90mDS(on),max N-channel, normal levelI 13 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application

Другие MOSFET... BSZ180P03NS3EG , BSZ22DN20NS3G , BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , RFP50N06 , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H .

History: S-LNA2306LT1G | JMSH1008PK | APM4350KP | WPMD2012 | BSS138D87Z | WST6402 | SUD50P04-15

 

 
Back to Top

 


 
.