IPA075N15N3G Todos los transistores

 

IPA075N15N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA075N15N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 638 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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IPA075N15N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  infineon
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IPA075N15N3G

pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1

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IPA075N15N3G

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 3.2. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA075N15N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

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History: BLF6G10LS-160RN | ME4174 | HY3003V | BUK653R5-55C | HY19P03V | CED02N65G

 

 
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