Справочник MOSFET. IPA075N15N3G

 

IPA075N15N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA075N15N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA075N15N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA075N15N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  infineon
 ipa075n15n3g.pdf pdf_icon

IPA075N15N3G

pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1

 3.1. Size:540K  infineon
 ipa075n15n3.pdf pdf_icon

IPA075N15N3G

pe IPA075N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D k eR 7 m D n) m xM kin I 4 DQ .5BI B5C9CD1>35 RD n)Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5Q )2 6B55 7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?>Q "1

 3.2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa075n15n3.pdf pdf_icon

IPA075N15N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA075N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... BUZ73LH , IPA028N08N3G , IPA030N10N3G , IPA032N06N3G , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IRFZ48N , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP .

History: BUK755R4-100E

 

 
Back to Top

 


 
.