IPA100N08N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA100N08N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA100N08N3G datasheet
ipa105n15n3g.pdf
IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1
ipa105n15n3.pdf
IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1
ipa105n15n3.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
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History: BSS138TA
History: BSS138TA
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