IPA100N08N3G Todos los transistores

 

IPA100N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA100N08N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPA100N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:538K  infineon
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IPA100N08N3G

# ! ! (TM) #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.1. Size:550K  infineon
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IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.2. Size:548K  infineon
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IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA100N08N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

MOSTRAR MÁS

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History: STD3NM60N | SSF11NS70UF | FDR840P | SI4368DY | WMO60N04T1 | SWF13N60K2 | SWK15N04V

 

 
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