Справочник MOSFET. IPA100N08N3G

 

IPA100N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPA100N08N3G
   Маркировка: 100N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для IPA100N08N3G

 

 

IPA100N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf

IPA100N08N3G IPA100N08N3G

# ! ! (TM) #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf

IPA100N08N3G IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.2. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf

IPA100N08N3G IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf

IPA100N08N3G IPA100N08N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top