IPA100N08N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPA100N08N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPA100N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA100N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA100N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

# ! ! (TM) #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.2. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA032N06N3G , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IRFZ48N , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP , IPA50R250CP , IPA50R299CP , IPA50R350CP .

History: BUZ206

 

 
Back to Top

 


 
.