IPA100N08N3G - описание и поиск аналогов

 

IPA100N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPA100N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для IPA100N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA100N08N3G даташит

 3.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

 9.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.2. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA100N08N3G

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA032N06N3G , IPA037N08N3G , IPA045N10N3G , IPA057N06N3G , IPA057N08N3G , IPA075N15N3G , IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IRFZ48N , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP , IPA50R250CP , IPA50R299CP , IPA50R350CP .

History: HM4611B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.