IPA50R199CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA50R199CP

Código: 5R199P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 139 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 34 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.199 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

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IPA50R199CP Datasheet (PDF)

1.1. ipa50r199cp rev2.0.pdf Size:560K _infineon

IPA50R199CP C??IMOSTM $;B1= '=-:>5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 W )EM;IJ 7H=; 4 nC g typ W "NJH;C; :L :J H7J;: W %?=> F;7A 9KHH;DJ 97F78?B?JO W -8 01>53:10 2;= W %7H: 7D: IE?D= 0* -0 JEFEB

2.1. ipa50r190ce.pdf Size:2210K _infineon

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS™ CE 500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPx50R190CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPW50R190CE, IPP50R190CE, IPA50R190CE TO-247 TO-220 TO-220 FP 1 Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the s

3.1. ipa50r140cp rev2.1.pdf Size:604K _infineon

IPA50R140CP CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V @Tjmax 550 V !0 W 4EHB:M?:; 8;IJ / ?D 1, DS(on) R 0.140 DS(on) max W )EM;IJ 7H=; W "NJH;C; :L :J H7J;: W %?=> F;7A 9KHH;DJ 97F78?B?JO 1, #- W -8

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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