IPA50R199CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPA50R199CP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPA50R199CP Datasheet (PDF)
ipa50r199cp.pdf

IPA50R199CPCIMOSTM$;B1='=-:>5>?;=$=;0@/?&@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0W)EM;IJ
ipa50r199cp.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R199CPFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa50r190ce ipp50r190ce ipw50r190ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R190CEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPW50R190CE, IPP50R190CE, IPA50R190CETO-247 TO-220 TO-220 FP1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the s
ipa50r190ce.pdf

IPA50R190CEMOSFETPG-TO 220 FP500V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting h
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AOSX32128 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | GKI03080 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2
History: AOSX32128 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | GKI03080 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor