APT5030AVR MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

APT5030AVR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT5030AVR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO3

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APT5030AVR datasheet

..1. Size:61K apt
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APT5030AVR 500V 14.7A 0.300 POWER MOS V TO-3 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

6.1. Size:375K apt
apt4530an apt5025an apt5030an.pdf pdf_icon

7.1. Size:36K apt
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D TO-247 G APT5025BN 500V 23.0A 0.25 S APT5030BN 500V 21.0A 0.30 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 5025BN 5030BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 500 500 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 23 21 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 92 84 V

8.1. Size:61K apt
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