APT5030AVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5030AVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для APT5030AVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5030AVR даташит

 ..1. Size:61K  apt
 apt5030avr.pdf pdf_icon

APT5030AVR

APT5030AVR 500V 14.7A 0.300 POWER MOS V TO-3 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

 6.1. Size:375K  apt
 apt4530an apt5025an apt5030an.pdf pdf_icon

APT5030AVR

 7.1. Size:36K  apt
 apt5030bn.pdf pdf_icon

APT5030AVR

D TO-247 G APT5025BN 500V 23.0A 0.25 S APT5030BN 500V 21.0A 0.30 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 5025BN 5030BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 500 500 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 23 21 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 92 84 V

 8.1. Size:61K  apt
 apt5032cvr.pdf pdf_icon

APT5030AVR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT5022AVR, APT5024AVR, APT5024BVFR, APT5024BVR, APT5025BN, APT5026HVR, APT5028BVR, APT5028SVR, IRF1407, APT5032CVR, APT5040CNR, APT50M50JVFR, APT50M50JVR, APT50M50PVR, APT50M60JN, APT50M85JVFR, APT50M85JVR