IPB77N06S2-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPB77N06S2-12
   Código: 2N0612
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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IPB77N06S2-12 Datasheet (PDF)

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ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf

IPB77N06S2-12IPP77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 11.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 77 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedTyp

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Liste

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