IPB77N06S2-12 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPB77N06S2-12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB77N06S2-12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB77N06S2-12 datasheet

..1. Size:155K infineon
ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf pdf_icon

IPB77N06S2-12 IPP77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 11.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 77 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Typ

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