Справочник MOSFET. IPB77N06S2-12

 

IPB77N06S2-12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB77N06S2-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB77N06S2-12

 

 

IPB77N06S2-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  infineon
 ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf

IPB77N06S2-12 IPB77N06S2-12

IPB77N06S2-12IPP77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 11.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 77 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedTyp

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top