IPB77N06S2-12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPB77N06S2-12  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPB77N06S2-12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB77N06S2-12 даташит

 ..1. Size:155K  infineon
 ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf pdf_icon

IPB77N06S2-12

IPB77N06S2-12 IPP77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 11.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 77 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Typ

Другие IGBT... IPB45P03P4L-11, IPB47N10S-33, IPB47N10SL-26, IPB50N10S3L-16, IPB70N04S3-07, IPB70N10S3-12, IPB70N10S3L-12, IPB70N10SL-16, IRFP450, IPB80N03S4L-02, IPB80N03S4L-03, IPB80N04S2-04, IPB80N04S2-H4, IPB80N04S2L-03, IPB80N04S3-03, IPB80N04S3-04, IPB80N04S3-06