IPB77N06S2-12 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IPB77N06S2-12. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB77N06S2-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB77N06S2-12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB77N06S2-12 даташит

 ..1. Size:155K  infineon
 ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf pdf_icon

IPB77N06S2-12

IPB77N06S2-12 IPP77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 11.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 77 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Typ

Другие MOSFET... IPB45P03P4L-11 , IPB47N10S-33 , IPB47N10SL-26 , IPB50N10S3L-16 , IPB70N04S3-07 , IPB70N10S3-12 , IPB70N10S3L-12 , IPB70N10SL-16 , IRFP250 , IPB80N03S4L-02 , IPB80N03S4L-03 , IPB80N04S2-04 , IPB80N04S2-H4 , IPB80N04S2L-03 , IPB80N04S3-03 , IPB80N04S3-04 , IPB80N04S3-06 .

 

 
Back to Top

 


 
.