IPB009N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB009N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: TO263-7

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IPB009N03LG datasheet

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IPB009N03LG

IPB009N03L G MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 3 Power-Transistor, 30 V Features MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply tab Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level 1 Ultra-low on-resistance R DS(on) 100% Avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Table 1 Key Performance Parameters Drain Parameter Va

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IPB009N03LG

Type IPB009N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 30 V MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply RDS(on),max 0.95 mW Qualified according to JEDEC1) for target applications ID 180 A N-channel Logic level Ultra-low on-resistance R DS(on) PG-TO263-7 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Type Pack

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IPB009N03LG

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Otros transistores... IPB80N08S2-07, IPB80N08S2L-07, IPB80P03P4-05, IPB80P03P4L-04, IPB80P03P4L-07, IPB90N04S4-02, IPB90N06S4-04, IPB90N06S4L-04, AO4407A, IPB011N04LG, IPB011N04NG, IPB015N04LG, IPB015N04NG, IPB016N06L3G, IPB017N06N3G, IPB019N06L3G, IPB019N08N3G