IPB009N03LG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPB009N03LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
Тип корпуса: TO263-7
Аналог (замена) для IPB009N03LG
IPB009N03LG Datasheet (PDF)
ipb009n03lg.pdf

IPB009N03L GMOSFETD-PAK 7pinOptiMOS3 Power-Transistor, 30 VFeatures MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supplytab Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level1 Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliantTable 1 Key Performance ParametersDrainParameter Va
ipb009n03l.pdf

TypeIPB009N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply RDS(on),max 0.95 mW Qualified according to JEDEC1) for target applicationsID 180 A N-channel Logic level Ultra-low on-resistance RDS(on)PG-TO263-7 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliantType Pack
ipb009n03l .pdf

pe $ " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R ') - . 8AC ) , ;@9 3@6 / @;@E7CCFBE;4>7 *AH7C -FBB>J m - A@ ?3I 1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D 1 DR ( 5:3@@7>R &A9;5 >7G7>R / >EC3 >AH A@ C7D;DE3@57 D n) G O 7R G3>3@5:7 E7DE76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType Package Marking#* ( & ! G O 7 N !-C59@9 =-?5:3> 3E
Другие MOSFET... IPB80N08S2-07 , IPB80N08S2L-07 , IPB80P03P4-05 , IPB80P03P4L-04 , IPB80P03P4L-07 , IPB90N04S4-02 , IPB90N06S4-04 , IPB90N06S4L-04 , BS170 , IPB011N04LG , IPB011N04NG , IPB015N04LG , IPB015N04NG , IPB016N06L3G , IPB017N06N3G , IPB019N06L3G , IPB019N08N3G .
History: SFB063N80C3 | HM50N03 | NCE3085K | NCE3080I
History: SFB063N80C3 | HM50N03 | NCE3085K | NCE3080I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023