IPB019N06L3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB019N06L3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de IPB019N06L3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPB019N06L3G datasheet

 ..1. Size:541K  infineon
 ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf pdf_icon

IPB019N06L3G

pe % # ! F % (>.;?6?@ %>E Features D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m x R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 D R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 , D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @?D

 3.1. Size:252K  inchange semiconductor
 ipb019n06l3.pdf pdf_icon

IPB019N06L3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXI

 6.1. Size:1072K  infineon
 ipb019n08n5.pdf pdf_icon

IPB019N06L3G

IPB019N08N5 MOSFET D -PAK 7pin OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 100% avalanche tested 7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual

 6.2. Size:689K  infineon
 ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf pdf_icon

IPB019N06L3G

# ! ! D # A03 B53 1 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?C 1 D Q H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 + D n) e #) ' ' ! Q ,E@5B9?B D85B=135 Q ' 381>>5?B=1

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPB90N06S4L-04, IPB009N03LG, IPB011N04LG, IPB011N04NG, IPB015N04LG, IPB015N04NG, IPB016N06L3G, IPB017N06N3G, IRF740, IPB019N08N3G, IPB020N04NG, IPB020NE7N3G, IPB021N06N3G, IPB022N04LG, IPB023N04NG, IPB023N06N3G, IPB025N08N3G