IPB019N06L3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB019N06L3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB019N06L3G
IPB019N06L3G Datasheet (PDF)
ipb019n06l3 ipb019n06l3g.pdf

pe % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 DR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?D
ipb019n06l3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI
ipb019n08n5.pdf

IPB019N08N5MOSFETD-PAK 7pinOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Optimized technology for DC/DC converters Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 100% avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliant Industrial qual
ipb019n08n3 ipb019n08n3g.pdf

# ! ! D #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?C 1 DQ H3579>55B9>7 Q .5BI B5C9CD1>35 +D n) e #) ' ' !Q ,E@5B9?B D85B=135Q ' 381>>5?B=1
Другие MOSFET... IPB90N06S4L-04 , IPB009N03LG , IPB011N04LG , IPB011N04NG , IPB015N04LG , IPB015N04NG , IPB016N06L3G , IPB017N06N3G , IRF740 , IPB019N08N3G , IPB020N04NG , IPB020NE7N3G , IPB021N06N3G , IPB022N04LG , IPB023N04NG , IPB023N06N3G , IPB025N08N3G .
History: NP82N055CLE | SSM4500GM | 2SK1530 | AUIRF7736M2TR | HAT2114RJ | AON7532E
History: NP82N055CLE | SSM4500GM | 2SK1530 | AUIRF7736M2TR | HAT2114RJ | AON7532E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726