IPB027N10N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB027N10N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB027N10N3G datasheet

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IPB027N10N3G

IPB027N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

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IPB027N10N3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB027N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB027N10N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resista

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

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