IPB027N10N3G Todos los transistores

 

IPB027N10N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB027N10N3G
   Código: 027N10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPB027N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  infineon
 ipb027n10n3g.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

IPB027N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n3.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 4.1. Size:1134K  infineon
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

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