IPB027N10N3G Todos los transistores

 

IPB027N10N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB027N10N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IPB027N10N3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPB027N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  infineon
 ipb027n10n3g.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

IPB027N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n3.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 4.1. Size:1134K  infineon
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPB020N04NG , IPB020NE7N3G , IPB021N06N3G , IPB022N04LG , IPB023N04NG , IPB023N06N3G , IPB025N08N3G , IPB025N10N3G , IRFP260N , IPB029N06N3G , IPB030N08N3G , IPB031NE7N3G , IPB034N03LG , IPB034N06L3G , IPB034N06N3G , IPB035N08N3G , IPB036N12N3G .

History: 2SK1340 | AP3P7R0EP | VS3645GA | IPB025N10N3G | SIHFP21N60L | STB55NF06-1 | AP70T03GJB

 

 
Back to Top

 


 
.