IPB027N10N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPB027N10N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB027N10N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB027N10N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB027N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  infineon
 ipb027n10n3g.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

IPB027N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n3.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 4.1. Size:1134K  infineon
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB020N04NG , IPB020NE7N3G , IPB021N06N3G , IPB022N04LG , IPB023N04NG , IPB023N06N3G , IPB025N08N3G , IPB025N10N3G , IRLZ44N , IPB029N06N3G , IPB030N08N3G , IPB031NE7N3G , IPB034N03LG , IPB034N06L3G , IPB034N06N3G , IPB035N08N3G , IPB036N12N3G .

 

 
Back to Top

 


 
.