IPB027N10N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB027N10N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB027N10N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB027N10N3G даташит

 ..1. Size:531K  infineon
 ipb027n10n3g.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

IPB027N10N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D Q ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n3.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 4.1. Size:1134K  infineon
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB027N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB027N10N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resista

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb027n10n5.pdf pdf_icon

IPB027N10N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB020N04NG, IPB020NE7N3G, IPB021N06N3G, IPB022N04LG, IPB023N04NG, IPB023N06N3G, IPB025N08N3G, IPB025N10N3G, IRLZ44N, IPB029N06N3G, IPB030N08N3G, IPB031NE7N3G, IPB034N03LG, IPB034N06L3G, IPB034N06N3G, IPB035N08N3G, IPB036N12N3G