IPB080N03LG Todos los transistores

 

IPB080N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB080N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB080N03LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:726K  infineon
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IPB080N03LG

Type IPP080N03L GIPB080N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 8.0mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 4.2. Size:243K  inchange semiconductor
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IPB080N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB080N03LDESCRIPTIONDrain Current :I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSY

 6.1. Size:739K  infineon
 ipb080n06ng ipp080n06ng.pdf pdf_icon

IPB080N03LG

IPB080N06N G IPP080N06N G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P &?F 71C5 381A75 6?A 61BC BF9C389>7 1@@BR 7 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C >?A=1

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History: IPW60R180P7 | HGA046NE6AL | CS7N60F | TPM7002BKM | FQI9N50TU | RP1E090RPTR | PMPB100XPEA

 

 
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