IPB100N04S4-H2 Todos los transistores

 

IPB100N04S4-H2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB100N04S4-H2
   Código: 4N04H2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB100N04S4-H2 Datasheet (PDF)

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IPB100N04S4-H2

IPB100N04S4-H2IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.4mDS(on),max I 100 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

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IPB100N04S4-H2

IPB100N04S4-H2IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.4mWDS(on),maxI 100 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType

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IPB100N04S4-H2

IPB100N04S2-04IPP100N04S2-04OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 3.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedT

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 ipb100n04s3-03 ipi100n04s3-03 ipp100n04s3-03 ipp100n04s3 ipb100n04s3 ipi100n04s3-03 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB100N04S4-H2

IPB100N04S3-03IPI100N04S3-03, IPP100N04S3-03OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD Version) 2.5mDS(on) I 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(

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History: 75N75L-TQ2-R | PMXB56EN

 

 
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