Справочник MOSFET. IPB100N04S4-H2

 

IPB100N04S4-H2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB100N04S4-H2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB100N04S4-H2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB100N04S4-H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  infineon
ipp100n04s4-h2 ipb100n04s4-h2 ipi100n04s4-h2.pdfpdf_icon

IPB100N04S4-H2

IPB100N04S4-H2IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.4mDS(on),max I 100 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

 ..2. Size:135K  infineon
ipb100n04s4-h2 ipi100n04s4-h2 ipp100n04s4-h2.pdfpdf_icon

IPB100N04S4-H2

IPB100N04S4-H2IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.4mWDS(on),maxI 100 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType

 4.1. Size:153K  infineon
ipb100n04s2-04 ipp100n04s2-04 ipp100n04s2-04 ipb100n04s2-04.pdfpdf_icon

IPB100N04S4-H2

IPB100N04S2-04IPP100N04S2-04OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 3.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedT

 4.2. Size:196K  infineon
ipb100n04s3-03 ipi100n04s3-03 ipp100n04s3-03 ipp100n04s3 ipb100n04s3 ipi100n04s3-03 ds 1 0.pdfpdf_icon

IPB100N04S4-H2

IPB100N04S3-03IPI100N04S3-03, IPP100N04S3-03OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD Version) 2.5mDS(on) I 100 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(

Другие MOSFET... IPB080N06NG , IPB081N06L3G , IPB083N10N3G , IPB08CNE8NG , IPB090N06N3G , IPB093N04LG , IPB096N03LG , IPB097N08N3G , 20N50 , IPB107N20N3G , IPB108N15N3G , IPB114N03LG , IPB120N04S4-01 , IPB120N04S4-02 , IPB120N06NG , IPB120N06S4-02 , IPB120N06S4-H1 .

History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019

 

 
Back to Top

 


 
.