IPB136N08N3G Todos los transistores

 

IPB136N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB136N08N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IPB136N08N3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPB136N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPB136N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Otros transistores... IPB114N03LG , IPB120N04S4-01 , IPB120N04S4-02 , IPB120N06NG , IPB120N06S4-02 , IPB120N06S4-H1 , IPB123N10N3G , IPB12CNE8NG , SKD502T , IPB144N12N3G , IPB147N03LG , IPB160N04S4-H1 , IPB16CN10NG , IPB180N03S4L-01 , IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G .

History: MMP3443 | BLP039N08-B | NTJS3157NT1G | SIR798DP | SIHFI614G | DACMI450N120BZK3

 

 
Back to Top

 


 
.