IPB136N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB136N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0136 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB136N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB136N08N3G даташит

 3.1. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPB136N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS Ideal for high frequency switching R 13.6 m DS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC converters I 45 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие IGBT... IPB114N03LG, IPB120N04S4-01, IPB120N04S4-02, IPB120N06NG, IPB120N06S4-02, IPB120N06S4-H1, IPB123N10N3G, IPB12CNE8NG, RFP50N06, IPB144N12N3G, IPB147N03LG, IPB160N04S4-H1, IPB16CN10NG, IPB180N03S4L-01, IPB180N04S4-01, IPB180N04S4-H0, IPB200N15N3G