IPB136N08N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPB136N08N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB136N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0136 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB136N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB136N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPB136N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие MOSFET... IPB114N03LG , IPB120N04S4-01 , IPB120N04S4-02 , IPB120N06NG , IPB120N06S4-02 , IPB120N06S4-H1 , IPB123N10N3G , IPB12CNE8NG , RFP50N06 , IPB144N12N3G , IPB147N03LG , IPB160N04S4-H1 , IPB16CN10NG , IPB180N03S4L-01 , IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G .

History: IPB60R080P7 | MTNK5N3 | IPB60R060C7

 

 
Back to Top

 


 
.