IPB50R250CP Todos los transistores

 

IPB50R250CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB50R250CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB50R250CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  infineon
 ipb50r250cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

IPB50R250CPCIMOSTM #:A0

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
 ipb50r250cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R250CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 7.1. Size:559K  infineon
 ipb50r299cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

IPB50R299CPCIMOSTM #:A0

 7.2. Size:228K  inchange semiconductor
 ipb50r299cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R299CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: BLP05N08G-B | 10N80L-TC3-T | IPB054N08N3G

 

 
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