IPB50R250CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB50R250CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB50R250CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB50R250CP даташит

 ..1. Size:552K  infineon
 ipb50r250cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

IPB50R250CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
 ipb50r250cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R250CP FEATURES With TO-263( D PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 7.1. Size:559K  infineon
 ipb50r299cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

IPB50R299CP C IMOSTM # A0

 7.2. Size:228K  inchange semiconductor
 ipb50r299cp.pdf pdf_icon

IPB50R250CP

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R299CP FEATURES With TO-263( D PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB260N06N3G, IPB26CN10NG, IPB320N20N3G, IPB34CN10NG, IPB45N04S4L-08, IPB50CN10NG, IPB50R140CP, IPB50R199CP, IRFZ46N, IPB50R299CP, IPB530N15N3G, IPB600N25N3G, IPB60R099C6, IPB60R099CP, IPB60R099CPA, IPB60R125C6, IPB60R125CP