IPB50R250CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB50R250CP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB50R250CP
IPB50R250CP Datasheet (PDF)
ipb50r250cp.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R250CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
ipb50r299cp.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB50R299CPFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... IPB260N06N3G , IPB26CN10NG , IPB320N20N3G , IPB34CN10NG , IPB45N04S4L-08 , IPB50CN10NG , IPB50R140CP , IPB50R199CP , STP65NF06 , IPB50R299CP , IPB530N15N3G , IPB600N25N3G , IPB60R099C6 , IPB60R099CP , IPB60R099CPA , IPB60R125C6 , IPB60R125CP .
History: PMN42XPE | AONS66811



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970