IPB530N15N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB530N15N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB530N15N3G datasheet

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IPB530N15N3G

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IPB530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 21 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

Otros transistores... IPB320N20N3G, IPB34CN10NG, IPB45N04S4L-08, IPB50CN10NG, IPB50R140CP, IPB50R199CP, IPB50R250CP, IPB50R299CP, IRLB3034, IPB600N25N3G, IPB60R099C6, IPB60R099CP, IPB60R099CPA, IPB60R125C6, IPB60R125CP, IPB60R160C6, IPB60R165CP