IPB530N15N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB530N15N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB530N15N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB530N15N3G даташит

 ..1. Size:983K  infineon
 ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf pdf_icon

IPB530N15N3G

# ! ! # ! ! # ! ! ## ! ! TM # A0A= 2?E #2=@86? !C66 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH

 ..2. Size:961K  infineon
 ipb530n15n3g ipd530n15n3g ipi530n15n3g ipp530n15n3g.pdf pdf_icon

IPB530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 21 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

Другие IGBT... IPB320N20N3G, IPB34CN10NG, IPB45N04S4L-08, IPB50CN10NG, IPB50R140CP, IPB50R199CP, IPB50R250CP, IPB50R299CP, IRLB3034, IPB600N25N3G, IPB60R099C6, IPB60R099CP, IPB60R099CPA, IPB60R125C6, IPB60R125CP, IPB60R160C6, IPB60R165CP