IPB60R160C6 Todos los transistores

 

IPB60R160C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB60R160C6

Código: 6R160C6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 176 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 23.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 75 nC

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK, TO263

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IPB60R160C6 Datasheet (PDF)

1.1. ipb60r160c6 2 1.pdf Size:1723K _infineon

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2.1. ipb60r165cp rev21.pdf Size:348K _infineon

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2.2. ipb60r165cp.pdf Size:227K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R165CP ·FEATURES ·With TO-263(D2PAK) packaging ·Ultra-fast body diode ·High speed switching ·Very high commutation ruggedness ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz ·APPLICATIONS ·PFC stages, hard switching PWM stages and resonant sw

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